[发明专利]制造第III族氮化物半导体晶体的方法及制造GaN衬底的方法

摘要

本发明提供了一种用于制造第III族氮化物半导体晶体和GaN衬底的方法，其中可以确定地减小生长衬底上位错密度的转移或裂纹的出现，并且第III族氮化物半导体晶体可以容易地分离于籽晶。在GaN衬底上形成掩模层，以由此形成GaN衬底的露出部分和GaN衬底的未露出部分。通过助熔剂法，在包含至少第III族金属和Na的熔融混合物中在GaN衬底的露出部分上形成GaN层。此时，在掩模层上形成包含熔融混合物的组分的非晶体部分以被生长在GaN衬底和掩模层上的GaN层覆盖。

主权项

一种用于制造第III族氮化物半导体晶体的方法，所述方法包括：掩模层形成步骤：在下层上形成掩模层以由此形成所述下层的未被所述掩模层覆盖的露出部分和所述下层的被所述掩模层覆盖的未露出部分，其中作为所述露出部分，离散地设置有多个生长起始区，形成有各自具有线性图案的连接部分，各个所述生长起始区的区域具有1μm至2000μm的内宽W1，各个所述连接部分的区域具有200μm或更小的内宽W2，所述内宽W1和所述内宽W2满足W1>2×W2的关系；半导体晶体形成步骤：在包含至少第III族金属和Na的熔融混合物中生长第III族氮化物半导体晶体；并且其中，在所述半导体晶体形成步骤中，以如下方式生长所述第III族氮化物半导体晶体：从所述生长起始区的表面沿纵向方向生长，在所述掩模之上沿横向方向生长，并且在所述连接部分的表面之上沿横向方向生长，所述连接部分用于促进在所述掩模之上的横向生长并引导沿着所述连接部分的横向生长，并且其中，在所述半导体晶体形成步骤中，在所述掩模层上形成包含所述熔融混合物的组分的非晶体部分；其中，在所述掩模层形成步骤中，所述生长起始区设置在三角形的角顶处，并且所述连接部分设置在与所述三角形的边对应的位置处。