[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括提供半导体衬底，包括逻辑区域和若干存储区域，每个存储区域包括第一区域和第二区域；在存储区域上形成第一多晶硅层；在第一多晶硅层上形成控制栅介质层；在第二区域上控制栅介质层中形成第一开口；在逻辑区域和控制栅介质层上形成第二多晶硅层，且填充第一开口；刻蚀去除相邻存储区域之间的部分第二多晶硅层、控制栅介质层和第一多晶硅层；在第一开口和第二区域之间的第二多晶硅层中形成暴露出控制栅介质层表面的第二开口，同时在逻辑区域形成逻辑晶体管的栅极；在逻辑晶体管的栅极的侧壁上形成第一偏移侧墙，在逻辑晶体管的栅极两侧半导体衬底内形成浅掺杂区。形成第二开口时防止了第二多晶硅材料的残留。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括逻辑区域和若干存储区域，每个存储区域包括第一区域、和与第一区域相邻的第二区域；在存储区域的半导体衬底上形成第一多晶硅层；在第一多晶硅层上形成控制栅介质层；刻蚀第二区域上的部分控制栅介质层，在控制栅介质层中形成第一开口，所述第一开口暴露出第二区域的第一多晶硅层表面；在所述逻辑区域的半导体衬底上和存储区域的控制栅介质层上形成第二多晶硅层，第二多晶硅层填充满第一开口；刻蚀去除相邻存储区域之间的部分所述第二多晶硅层、控制栅介质层和第一多晶硅层，暴露出半导体衬底的第一区域和第二区域的部分表面；刻蚀第一开口和第一区域之间的部分第二多晶硅层，在第二多晶硅层中形成暴露出控制栅介质层表面的第二开口，第二开口将第一区域上的第二多晶硅层和第二区域上的第二多晶硅层断开，第二区域上的半导体衬底上的部分第一多晶硅层和第二多晶硅层构成闪存器件的耦合栅，第一区域的半导体衬底上部分第一多晶硅层构成闪存器件的浮栅，耦合栅与浮栅通过部分第一多晶硅层电连接，第一区域的控制栅介质层上的第二多晶硅层构成闪存器件的控制栅；同时刻蚀逻辑区域的第二多晶硅层，形成逻辑晶体管的栅极；在所述逻辑晶体管的栅极的侧壁上形成第一偏移侧墙，在逻辑晶体管的栅极两侧的逻辑区域的半导体衬底内形成逻辑晶体管的浅掺杂区；在耦合栅、控制栅和选择栅的侧壁上形成第二偏移侧墙，在耦合栅、控制栅和浮栅的一侧的第二区域和第一区域的半导体衬底内形成闪存器件的浅掺杂区。