[发明专利]用于键合的铝材料的预处理方法及键合方法有效
| 申请号： | 201410231355.1 | 申请日： | 2014-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN105225923B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 邱鹏;王宇翔;顾佳烨;段立帆 | 申请（专利权）人： | 上海矽睿科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/60 |
| 代理公司： | 31218 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 孙佳胤<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 201815 上海市嘉*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于键合的铝材料的预处理方法及键合方法，所述预处理方法包括如下步骤：提供一表面具有铝层的第一衬底；对所述铝层实施等离子体处理，以去除所述铝层表面的氧化层，所述等离子体的源物质中含有氯气和三氟甲烷。本发明的优点在于，对铝层实施等离子体处理，以去除所述铝层表面的氧化层，所述等离子体的源物质中含有氯气和三氟甲烷。由于没有还原性气体的使用，提高了去除氧化层的安全性，降低了键合的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化层 键合 铝层 去除 等离子体 预处理 等离子体处理 氯气 铝层表面 三氟甲烷 源物质 还原性气体 铝材料 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种用于键合的铝材料的预处理方法，其特征在于，包括如下步骤：/n提供一表面具有铝层的第一衬底；/n对所述铝层实施等离子体处理，使等离子体的源物质形成各向异性等离子体，以去除所述铝层表面的氧化层；其中，所述等离子体的源物质中含有氯气和三氟甲烷，所述氯气和三氟甲烷的比例范围为10：1～3：1，所述等离子体处理步骤的偏置功率的范围为200瓦～1000瓦，所述等离子体处理的温度小于40摄氏度；并且，所述氯气和三氟甲烷在所述偏置功率下形成各向异性的等离子体。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
