[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供形成有包括自下而上层叠的高k介电层和牺牲栅电极层的伪栅极结构的半导体衬底，在伪栅极结构的两侧依次形成有层叠的偏移侧墙和主侧墙；在半导体衬底上形成牺牲材料层，覆盖伪栅极结构的顶部；实施第一回蚀刻以去除部分牺牲材料层，露出部分主侧墙和部分偏移侧墙；实施第二回蚀刻以同时去除露出的主侧墙和偏移侧墙，露出部分牺牲栅电极层；在露出的部分牺牲栅电极层的顶部和侧壁外延生长另一牺牲栅电极层；去除剩余的牺牲材料层，并在半导体衬底上形成层间介电层。根据本发明，通过增大伪栅极结构的顶部宽度以及高度来增大后续填充金属栅极材料层时的工艺窗口，减小栅极电阻。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有包括自下而上层叠的高k介电层和牺牲栅电极层的伪栅极结构，在所述伪栅极结构的两侧依次形成有层叠的偏移侧墙和主侧墙；在所述半导体衬底上形成牺牲材料层，覆盖所述伪栅极结构的顶部；实施第一回蚀刻以去除部分所述牺牲材料层，露出部分所述主侧墙和部分所述偏移侧墙；实施第二回蚀刻以同时去除露出的所述主侧墙和所述偏移侧墙，露出所述伪栅极结构中的部分牺牲栅电极层；在露出的所述部分牺牲栅电极层的顶部和侧壁外延生长另一牺牲栅电极层；去除剩余的所述牺牲材料层，并在半导体衬底上形成层间介电层，以覆盖所述伪栅极结构的顶部。