[发明专利]结势垒肖特基二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201410200502.9 | 申请日： | 2014-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN104009099B | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 李诚瞻;刘可安;吴煜东;吴佳;史晶晶;杨勇雄 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人： | 吴大建,刘华联 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种结势垒肖特基二极管及其制造方法，包括由N型半导体构成的有源区，所述有源区内设置有断点环形结构的P型掺杂区。本发明采用断点环形P型掺杂区，在充分利用耗尽层(反向阻断模式下)在三维方向的延伸能力的前提下，能够增加器件的电流有效导通面积。在有源区面积相等的情况下，本发明所提出的新型结构及分布能够改善器件的性能。在同等电流级别下，新型结构器件的芯片面积可以更小，这样可有效减小芯片面积，降低芯片成本。 | ||
| 搜索关键词： | 结势垒肖特基 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种结势垒肖特基二极管，包括由N型半导体构成的有源区，所述有源区内设置有断点圆环形结构的P型掺杂区，所述P型掺杂区圆环形结构的断点处设置为其两端的所述P型掺杂区的空间电荷区在该断点处交迭，空间电荷区是由所述P型掺杂区在三维方向上向N型外延层延伸的。
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