[发明专利]封装结构及其制法有效
申请号: | 201410164603.5 | 申请日: | 2014-04-23 |
公开(公告)号: | CN104979219B | 公开(公告)日: | 2018-12-07 |
发明(设计)人: | 陈嘉成;孙铭成;沈子杰;邱士超;萧惟中;白裕呈;江东昇 | 申请(专利权)人: | 矽品精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/60 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种封装结构及其制法,该制法先提供一具有多个焊垫的承载件,再压合一压合体于该承载件上,该压合体包含增层部与尺寸小于该增层部的离型部,该离型部覆盖该些焊垫,且该增层部压合于该离型部与该承载件上,之后形成多个导电柱于该增层部中,最后移除该离型部及其上的增层部,以形成开口于该压合体上,使该些焊垫外露于该开口,且该些导电柱位于该开口周围,藉以简化制程。 | ||
搜索关键词: | 封装 结构 制法 | ||
【主权项】:
1.一种封装结构的制法,包括:提供一具有多个焊垫的承载件;压合一压合体于该承载件上,该压合体包含增层部与尺寸小于该增层部的离型部,该离型部覆盖所述焊垫,且该增层部压合于该离型部与该承载件上,其中,该离型部包含相叠的第一金属层与第二金属层,且该第一金属层结合至所述焊垫与该承载件上,该增层部包括:介电层,与该承载件接触;板体,具有相对的第一表面与第二表面,并形成于该介电层上,且该离型部的第二金属层结合至该板体的第二表面上;以及导体层,直接形成于该板体的第一表面上;形成多个贯穿该增层部的导电柱于该增层部中;利用该导体层,于该板体上制作线路层,且该线路层电性连接该导电柱;激光切割该增层部,以移除部分该离型部与其上的增层部,以形成开口于该压合体上;以及蚀刻移除剩余的该离型部,使所述焊垫外露于该开口,且所述导电柱位于该开口周围。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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