[发明专利]闪存存储器

摘要

本发明揭示了一种闪存存储器。包括一作为衬底的圆柱状的主体结构，所述主体结构为N型硅结构，包括中间部分及位于中间部分两侧的两个端部，围绕中间部分包裹有栅极，形成围栅；所述两个端部作为源极和漏极，包括有一层P型掺杂区域；所述端部被P型掺杂区域围绕的部分通过接触线引出，用于施加衬底电压。能够拥有更小的栅长，使用圆柱状结构能够使得控制栅和浮栅的电压能够更好地控制沟道，降低源漏耗尽区展宽占有的总的耗尽区尺寸的百分比，抑制短沟道效应，抵抗阈值电压漂移，减少闪存的读出错误。

主权项

一种闪存存储器，包括：一作为衬底的圆柱状的主体结构，所述主体结构为N型硅结构，包括中间部分及位于中间部分两侧的两个端部，围绕中间部分包裹有栅极，形成围栅；所述两个端部作为源极和漏极，包括有一层P型掺杂区域；所述两个端部被P型掺杂区域围绕的部分通过接触线引出，用于施加衬底电压。