[发明专利]闪存存储器

权利要求书

1.一种闪存存储器，包括：一作为衬底的圆柱状的主体结构，所述主体结构为N型硅结构，包括中间部分及位于中间部分两侧的两个端部，围绕中间部分包裹有栅极，形成围栅；所述两个端部作为源极和漏极，包括有一层P型掺杂区域；所述端部被P型掺杂区域围绕的部分通过接触线引出，用于施加衬底电压。

2.如权利要求1所述的闪存存储器，其特征在于，所述主体结构的半径为0.05μm～0.5μm，中间部分的长度为0.1μm～2μm。

3.如权利要求1所述的闪存存储器，其特征在于，所述中间部分为N型掺杂区域，所述端部被P型掺杂区域围绕的部分为N型重掺杂区域，掺杂为磷。

4.如权利要求2所述的闪存存储器，其特征在于，所述P型掺杂区域为重掺杂，掺杂为硼。

5.如权利要求1所述的闪存存储器，其特征在于，所述栅极自内而外包括浮栅和控制栅，所述浮栅的材料为多晶硅，厚度为80nm～100nm，所述控制栅的材料为多晶硅，厚度为150nm～200nm。

6.如权利要求5所述的闪存存储器，其特征在于，所述中间部分与浮栅之间形成有隧穿氧化层，所述隧穿氧化层的材料为SiO₂，厚度为5nm-20nm。

7.如权利要求5所述的闪存存储器，其特征在于，所述浮栅与控制栅之间还形成有ONO层，厚度为10nm～50nm。