[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201410129676.0 | 申请日： | 2014-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN104979389B | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 李琮雄;林鑫成 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 贾磊 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包括一半导体层；一掺杂阱，设置于该半导体层内且具有一第一导电类型；一漏极区，设置于该掺杂阱内；一源极区与一主体区，设置于该半导体层内；一第一掺杂区，具有一第二导电类型，该第一掺杂区设置于该源极区与该掺杂阱之间；一第二掺杂区，具有该第一导电类型且设置于该源极区之下；一第三掺杂区，具有该第二导电类型且设置于该掺杂阱内；以及一第四掺杂区，设置于该掺杂阱内且位于该第三掺杂区之上，该第四掺杂区具有第一导电类型。此外，上述半导体装置可包括一栅极与一场板。通过本发明可使得半导体元件内具有分隔的源极区与主体区，并且源极区与主体区分别适用于不同电压的操作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：一半导体层；一掺杂阱，设置于该半导体层内且具有一第一导电类型；一漏极区，设置于该掺杂阱内；一源极区与一主体区，设置于该半导体层内；一第一掺杂区，具有一第二导电类型，该第一掺杂区设置于该源极区与该掺杂阱之间，且该第一掺杂区与该源极区相隔一距离；一第二掺杂区，具有该第一导电类型且设置于该源极区之下；一第三掺杂区，具有该第二导电类型且设置于该掺杂阱内；一第四掺杂区，设置于该掺杂阱内且位于该第三掺杂区之上，该第四掺杂区具有该第一导电类型；一第一隔离物，设置于该源极区与该主体区之间；以及一源极场板绝缘层与一源极场板，设置于该源极区上且延伸至该第一隔离物上，其中该源极场板设置于该源极场板绝缘层上。
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