[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

一半导体层；

一掺杂阱，设置于该半导体层内且具有一第一导电类型；

一漏极区，设置于该掺杂阱内；

一源极区与一主体区，设置于该半导体层内；

一第一掺杂区，具有一第二导电类型，该第一掺杂区设置于该源极区与该掺杂阱之间，且该第一掺杂区与该源极区相隔一距离；

一第二掺杂区，具有该第一导电类型且设置于该源极区之下；

一第三掺杂区，具有该第二导电类型且设置于该掺杂阱内；

一第四掺杂区，设置于该掺杂阱内且位于该第三掺杂区之上，该第四掺杂区具有该第一导电类型；

一第一隔离物，设置于该源极区与该主体区之间；以及

一源极场板绝缘层与一源极场板，设置于该源极区上且延伸至该第一隔离物上，其中该源极场板设置于该源极场板绝缘层上。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

一第五阱，具有该第二导电类型且设置于该主体区之下。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

一绝缘层，设置于该第一掺杂区上；以及

一导电元件，设置于该绝缘层上。

4.一种半导体装置，其特征在于，包括：

一半导体层；

一掺杂阱，设置于该半导体层内且具有一第一导电类型；

一漏极区，设置于该掺杂阱内；

一源极区与一主体区，设置于该半导体层内；

一第一掺杂区，具有一第二导电类型，该第一掺杂区设置于该源极区与该掺杂阱之间，且该第一掺杂区与该源极区相隔一距离；

一第二掺杂区，具有该第一导电类型且设置于该源极区之下；

一第一隔离物，设置于该源极区与该主体区之间；以及

一源极场板绝缘层与一源极场板，设置于该源极区上且延伸至该第一隔离物上，其中该源极场板设置于该源极场板绝缘层上。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，还包括一第三掺杂区，具有该第二导电类型且设置于该主体区之下。

6.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

一绝缘层，设置于该第一掺杂区上；以及

一导电元件，设置于该绝缘层上。

7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

形成具有一第一导电类型的一第一掺杂阱于具有一第二导电类型的一第一半导体层内；

形成具有该第二导电类型的一第二半导体层于该第一半导体层上；

形成具有该第一导电类型的一第二掺杂阱于该第二半导体层内；

形成具有该第二导电类型的一第一掺杂区于该第二掺杂阱内；

形成具有该第一导电类型的一第二掺杂区于该第二掺杂阱内，该第二掺杂区设置于该第一掺杂区之上；

形成具有该第一导电类型的一第三掺杂区于该第二半导体层内，该第三掺杂区与该第二掺杂阱相分隔；

形成具有该第二导电类型的一第四掺杂区于该第二半导体层内，该第四掺杂区形成于该第二掺杂阱与该第三掺杂区之间；

形成具有该第二导电类型的一第五掺杂区于该第二半导体层内，该第五掺杂区与该第二掺杂阱以及该第四掺杂区相分隔；

形成一第一绝缘层于该第四掺杂区上；

形成一导电元件于该第一绝缘层上；

形成一源极区于该第三掺杂区上，其中该源极区与该第四掺杂区相隔一距离；

形成一漏极区于该第二掺杂阱上；

形成一主体区于该第二半导体层上；

形成一第一隔离物于该源极区与该主体区之间；

形成一源极场板绝缘层于该源极区上；以及

形成一源极场板于该源极场板绝缘层上，其中该源极场板与该源极场板绝缘层延伸至该第一隔离物上。