[发明专利]一种制作嵌入式闪存的方法

摘要

本发明公开了一种制作嵌入式闪存的方法，根据本发明的制作方法形成的栅极电极间隙壁适用于嵌入式闪存存储器中的每个器件，所述嵌入式闪存存储器包括低压电路器件、逻辑电路器件和高压电路器件，他们共享相同的源漏极，间隙壁的形状和宽度需要具有不同变化的源/漏区扩展尺寸以满足器件尺寸的要求。

主权项

1.一种制作嵌入式闪存的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有闪存单元区域和低压电路区域，在所述闪存单元区域中的半导体衬底上形成有第一栅极电极，在所述低压电路区域中的半导体衬底上形成有栅极材料层；在所述半导体衬底上形成第一介质层；刻蚀所述第一介质层，以在所述第一栅极电极的两侧形成偏移间隙壁；刻蚀所述低压电路区域中的所述栅极材料层以形成第二栅极电极；在所述半导体衬底上形成间隙壁介质层，在所述间隙壁介质层上形成第二介质层；刻蚀所述第二介质层，停止于所述低压电路区域中的所述间隙壁介质层；去除所述低压电路区域中的第二介质层和所述闪存单元区域中部分的第二介质层；刻蚀所述间隙壁介质层和剩余的所述第二介质层，以在所述闪存单元区域和所述低压电路区域中形成间隙壁。