[发明专利]一种制作嵌入式闪存的方法有效
| 申请号： | 201410126816.9 | 申请日： | 2014-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN104952804B | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 宁先捷 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 嵌入式闪存 存储器 间隙壁 制作 逻辑电路器件 低压电路 高压电路 栅极电极 源/漏区 源漏极 共享 | ||
1.一种制作嵌入式闪存的方法，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底具有闪存单元区域和低压电路区域，
在所述闪存单元区域中的半导体衬底上形成有第一栅极电极，在所述低压电路区域中的半导体衬底上形成有栅极材料层；
在所述半导体衬底上形成第一介质层；
刻蚀所述第一介质层，以在所述第一栅极电极的两侧形成偏移间隙壁；
刻蚀所述低压电路区域中的所述栅极材料层以形成第二栅极电极；
在所述半导体衬底上形成间隙壁介质层，
在所述间隙壁介质层上形成第二介质层；
刻蚀所述第二介质层，停止于所述低压电路区域中的所述间隙壁介质层；
去除所述低压电路区域中的第二介质层和所述闪存单元区域中部分的第二介质层；
刻蚀所述间隙壁介质层和剩余的所述第二介质层，以在所述闪存单元区域和所述低压电路区域中形成间隙壁。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一栅极电极包括控制栅极和选择栅极。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用氧化工艺、CVD或PECVD形成所述第一介质层，所述第一介质层的厚度为1nm至15nm，所述第一介质层的材料为氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在形成所述第二栅极电极之后在所述低压电路区域中执行LDD注入的步骤。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，还包括在所述低压电路区域中执行LDD注入之后在所述闪存单元区域中形成源漏区的步骤。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在形成所述第一介质层之前在所述闪存单元区域中形成源漏区的步骤。
7.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述去除所述闪存单元区域中部分的第二介质层的步骤中去除的第二介质层为所述控制栅极的源区附近的所述第二介质层。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述间隙壁介质层为氧化物层、氧化物-氮化物层或ONO层。
9.如权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括在形成所述间隙壁介质层之前对所述控制栅极和所述选择栅极执行内部节点LDD注入的步骤。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410126816.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体器件的制造方法
- 下一篇：一种手机虚拟来电的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
