[发明专利]一种用于无源器件的半导体衬底的制作方法

摘要

本发明提供一种用于无源器件的半导体衬底的制作方法，包括以下步骤：1）提供半导体衬底，于第一温度下对所述半导体衬底进行第一退火处理，使半导体衬底中的间隙氧往外扩散；2）于第二温度下对所述半导体衬底进行第二退火处理，使半导体衬底中的间隙氧成核形成第一氧沉淀；3）于第三温度下对所述半导体衬底进行第三退火处理，使所述第一氧沉淀吸收间隙氧形成第二氧沉淀。本发明通过对半导体衬底进行一种高温-低温-高温的热处理方法，使大量的间隙氧变为氧沉淀，从而有效地避免在后续的多步热处理过程中形成氧热施主，从而达到使衬底电阻率在整个工艺过程中都保持稳定的效果，使器件能稳定的实现其性能。

主权项

一种用于无源器件的半导体衬底的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1），提供半导体衬底，于第一温度下对所述半导体衬底进行第一退火处理，使半导体衬底中的间隙氧往外扩散；步骤2），于第二温度下对所述半导体衬底进行第二退火处理，使半导体衬底中的间隙氧成核形成第一氧沉淀；步骤3），于第三温度下对所述半导体衬底进行第三退火处理，使所述第一氧沉淀吸收间隙氧形成第二氧沉淀；其中，所述第一温度及第三温度大于所述第二温度，所述第二氧沉淀的体积大于所述第一氧沉淀的体积。