[发明专利]一种双重图形及半导体器件结构的制作方法在审
| 申请号： | 201410114647.7 | 申请日： | 2014-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN104952705A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 余云初;沈忆华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种双重图形及半导体器件结构的制作方法，所述双重图形包括：第一掩膜，具有相隔排列的至少两排条状图形阵列，各排条状图形阵列包括多个间隔排列的条状图形，且各该条状图形的端部对应为待切割区域；以及第二掩膜，其于第一掩膜的相邻两排条状图形阵列间具有切割窗口，且该切割窗口同时覆盖于所述两排条状图形阵列中各条状图形的端部。本发明采用一个宽度较大的切割窗口同时覆盖于所述两排条状图形阵列中各条状图形的端部，用于对两排线端同时进行切割，相比于现有采用两个小宽度切割窗分别对两排线端切割的方法来说，可以有效减小两排线端之间的距离，从而提高电路的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双重 图形 半导体器件 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种双重图形，其特征在于，包括：第一掩膜，具有相隔排列的至少两排条状图形阵列，各排条状图形阵列包括多个间隔排列的条状图形，且各该条状图形的端部对应为待切割区域；以及第二掩膜，其于第一掩膜的相邻两排条状图形阵列间具有切割窗口，且该切割窗口同时覆盖于所述两排条状图形阵列中各条状图形的端部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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