[发明专利]半导体器件

摘要

本发明提供了半导体器件。半导体器件包括第一导电类型的半导体基板；网孔型栅电极，在基板之上，包括在第一方向上延伸的第一部分和在交叉第一方向的第二方向上延伸的第二部分。网孔型栅电极可以具有多个开口；以及第二导电类型的源极区和漏极区，在相应于开口的位置处的基板中在第一方向和第二方向上交替地布置。

主权项

一种半导体器件，包括：第一导电类型的硅基板；网孔型栅电极，在所述硅基板上，包括在第一方向上延伸的第一部分和在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的第二部分，并具有多个开口；埋入区，以岛的形式提供在所述第一部分和所述第二部分的相应交叉区下面的所述硅基板中；以及第二导电类型的源极区和漏极区，布置在被所述开口暴露的位置处的所述硅基板中，所述源极区和所述漏极区在所述第一方向上交替地布置并且在所述第二方向上交替地布置，其中所述第一方向是所述硅基板的<100>硅晶向。