[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一导电类型的硅基板；

网孔型栅电极，在所述硅基板上，包括在第一方向上延伸的第一部分和在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的第二部分，并具有多个开口；

埋入区，以岛的形式提供在所述第一部分和所述第二部分的相应交叉区下面的所述硅基板中；以及

第二导电类型的源极区和漏极区，布置在被所述开口暴露的位置处的所述硅基板中，所述源极区和所述漏极区在所述第一方向上交替地布置并且在所述第二方向上交替地布置，

其中所述第一方向是所述硅基板的<100>硅晶向。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述埋入区包括形成于所述交叉区下面的所述硅基板中的开口中的埋入材料。

3.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

栅绝缘层，在所述基板与所述栅电极之间，

其中所述第一导电类型是N型，所述第二导电类型是P型。

4.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

源极互连线，在与所述第一方向成45度角度的第三方向上延伸，所述源极互连线连接所述源极区中相应的源极区；和

漏极互连线，在所述第三方向上延伸并且连接所述漏极区中相应的漏极区，

其中所述源极互连线和所述漏极互连线在垂直于所述第三方向的第四方向上交替地布置。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述源极区和所述漏极区位于在所述半导体基板中限定的有源区内，所述有源区包括第一侧和第二侧，该第二侧位于所述有源区的在所述第一方向或所述第二方向上与所述第一侧相反的相反侧，和

其中所述半导体器件还包括：

源极互连线，具有Z字形，从所述有源区的所述第一侧延伸到所述有源区的所述第二侧并且连接所述源极区；和

漏极互连线，具有Z字形，从所述有源区的所述第一侧延伸到所述有源区的所述第二侧并且连接所述漏极区。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体基板的顶表面是(100)面。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述埋入区中的每个设置在彼此直接相邻的两对所述源极区和所述漏极区的中心。

8.如权利要求2所述的半导体器件，其中所述埋入材料包括硅氧化物、锗和硅锗中的至少一个。

9.一种半导体器件，包括：

第一导电类型的硅基板；

网孔型栅电极，在所述硅基板上，包括在第一方向上延伸的第一部分和在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的第二部分，并具有多个开口；

第二导电类型的源极区和漏极区，在所述开口下面的位置处的所述硅基板中，所述源极区和所述漏极区在所述第一方向上交替地布置并且在所述第二方向上交替地布置；以及

埋入区，埋入位于所述第一部分和所述第二部分的交叉处下面的所述硅基板中。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其中所述埋入区在所述源极区与所述漏极区之间的沟道区中引起压应力。

11.如权利要求9所述的半导体器件，其中所述埋入区在所述源极区与所述漏极区之间的沟道区中引起张应力。

12.如权利要求9所述的半导体器件，其中所述第一方向是<100>硅晶向。

13.如权利要求10所述的半导体器件，其中所述埋入区包括硅氧化物、锗和硅锗中的至少一个。

14.如权利要求10所述的半导体器件，还包括：

栅绝缘层，在所述硅基板与所述栅电极之间，

其中所述第一导电类型是N型，所述第二导电类型是P型。

15.如权利要求11所述的半导体器件，其中所述埋入区包括碳化硅。

16.如权利要求11所述的半导体器件，还包括：

栅绝缘层，在所述硅基板与所述栅电极之间，

其中所述第一导电类型是P型，所述第二导电类型是N型。