[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

根据一个实施例，半导体器件包括具有上表面的基板、设置在上表面上的基础绝缘层、以及薄膜晶体管。薄膜晶体管包括第一栅电极、第一、第二、和第三绝缘层、半导体层、以及第一和第二导电层。第一栅电极设置在基础绝缘层的一部分上。第一绝缘层覆盖第一栅电极和基础绝缘层。第二绝缘层设置在第一绝缘层上，并且具有第一、第二、和第三部分。半导体层与位于第三部分上的第二绝缘层接触，并且具有第四、第五部分、和第六部分。第一导电层与第四部分接触。第二导电层与第五部分接触。第三绝缘层覆盖半导体层的一部分。

主权项

一种半导体器件，包括：具有功能元件的基板，所述基板具有上表面；设置在所述上表面上的基础绝缘层；以及薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：设置在所述基础绝缘层的一部分上的第一栅电极；覆盖所述第一栅电极和所述基础绝缘层的第一绝缘层，所述第一绝缘层包含硅和氮；设置在所述第一绝缘层上的第二绝缘层，所述第二绝缘层包含氧、以及选自Al、Ti、Ta、Hf和Zr中的至少一种，所述第二绝缘层具有第一部分、在与所述上表面平行的平面上在第一方向上与所述第一部分分开的第二部分、以及位于所述第一栅电极上以设置在所述第一部分和所述第二部分之间的第三部分；具有包含选自In、Ga和Zn中的至少一种的氧化物的半导体层，所述半导体层与所述第三部分上的所述第二绝缘层接触，所述半导体层具有第四部分、在所述第一方向上与所述第四部分分开的第五部分、以及设置在所述第四部分和所述第五部分之间的第六部分，所述第四部分当被投影到与所述上表面平行的平面上时部署在所述第六部分和所述第一部分之间，所述第五部分当被投影到与所述上表面平行的平面上时部署在所述第六部分和所述第二部分之间；与所述第四部分接触的第一导电层;与所述第五部分接触的第二导电层；以及覆盖所述半导体层的除所述第四部分和所述第五部分以外的部分的第三绝缘层，所述第三绝缘层包含氧、以及选自Si、Al、Ti、Ta、Hf和Zr中的至少一种。