[发明专利]硅通孔测试版图、测试结构、制备方法及量测方法

摘要

本发明提供了一种硅通孔测试版图、硅通孔测试结构及其制备方法、以及硅通孔电阻的量测方法，在硅通孔测试结构中，在硅片正面设置有互呈镜像对称分布的第一硅通孔阵列和第二硅通孔阵列，在硅片背面沉积有一层金属层，利用背面的金属层作为两个硅通孔阵列之间的连通电阻，实现了只在正面施加驱动电流即可进行硅通孔电阻的量测；同时，采用等臂分流思路，利用相同的引线分别将每个硅通孔阵列中的硅通孔与相应的测试模块相连接，确保了各个支路的电流相同，从而有效规避了引线电阻的影响，提高了硅通孔电阻的量测精度，有利于后期的硅通孔的应用和开发。

主权项

一种硅通孔测试版图，其特征在于，由硅通孔光刻层的版图与测试模块和引线光刻层的版图叠加形成，其中，所述硅通孔光刻层的版图包括互为镜像对称图形的第一硅通孔阵列图形和第二硅通孔阵列图形；所述测试模块和引线光刻层的版图包括：互为镜像对称图形的第一测试模块图形和第二测试模块图形，互为镜像对称图形的若干条第一引线图形和若干条第二引线图形；所述第一测试模块图形包括第一电流施加模块图形和第一电压测试模块图形，所述第二测试模块图形包括第二电流施加模块图形和第二电压测试模块图形；其中，所述第一硅通孔阵列图形中的各个硅通孔图形与所述第一电流施加模块图形通过所述第一引线图形相连接，所述第一硅通孔阵列图形中的任意一个硅通孔图形与所述第一电压测试模块图形通过所述第一引线图形相连接；所述第二硅通孔阵列图形中的各个硅通孔图形与所述第二电流施加模块图形通过所述第二引线图形相连接，所述第二硅通孔阵列图形中的任意一个硅通孔图形与所述第二电压测试模块图形通过所述第二引线图形相连接；所述第一引线图形和所述第二引线图形相同；其中，利用硅通孔测试版图得到的硅通孔测试结构中，单个硅通孔的电阻为R＝NU/2I‑R'/2，其中，N为第一硅通孔阵列或第二硅通孔阵列中的硅通孔的数量，I第一电流施加模块所施加的电流源的输出电流，U为第一电压测试模块的电压测试仪器测出的电压，R'为背面金属层的电阻，R为单个硅通孔的电阻。