[发明专利]具有压缩性应变沟道区域的半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201410067374.5 | 申请日： | 2014-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN104009086B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 南云俊治 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有压缩性应变沟道区域的半导体器件及其制作方法，利用了包括第一半导体材料的核心和第二半导体材料的外延覆盖层的三维沟道区域。第一和第二半导体材料分别具有不同晶格常数，由此在外延覆盖层中产生应变。器件由后栅极工艺形成，使得仅在已经执行了高温处理之后沉积第二半导体材料。因此，晶格应变基本上未被弛豫，并且并未损害晶格应变沟道区域的改进的性能益处。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 压缩性 应变 沟道 区域 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n三维沟道区域，包括第一半导体材料的核心和第二半导体材料的外延覆盖层，所述外延覆盖层在所述第一半导体材料的所述核心的上部部分的上表面和侧表面上覆盖所述第一半导体材料的所述核心，其中所述第一半导体材料和所述第二半导体材料分别具有不同的晶格常数，由此在所述外延覆盖层中产生应变；/n与所述三维沟道区域的一端相邻定位的源极区域，以及与所述三维沟道区域的相对端相邻定位的漏极区域；以及/n栅极电极，叠置在所述三维沟道区域上；/n其中所述第二半导体材料仅存在于所述栅极电极下面的区域中，以及/n其中所述外延覆盖层被定位在所述源极区域与所述漏极区域之间。/n
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