[发明专利]半导体发光装置、超辐射发光二极管以及投影仪有效
| 申请号： | 201410064715.3 | 申请日： | 2014-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN104009131B | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 西冈大毅 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 舒艳君,李洋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体发光装置，其特征在于，具备层叠结构体，其包含发光层、第1包覆层以及第2包覆层；第1电极，其与上述第1包覆层连接；第2电极，其与上述第2包覆层连接；以及第3电极，其与上述第2包覆层连接，上述层叠结构体具有光波导，上述光波导包括直线波导部，其沿相对于上述层叠结构体的前端面的法线倾斜的直线，且从光射出部延伸；以及曲线波导部，其包含具备具有曲率的形状的曲线波导，注入到上述直线波导部的电流密度比注入到上述曲线波导部的电流密度大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 装置 辐射 发光二极管 以及 投影仪 | ||
【主权项】：
一种半导体发光装置，其特征在于，具备：层叠结构体，其包括发光层以及夹着所述发光层的第1包覆层和第2包覆层；第1电极，其与所述第1包覆层电连接；第2电极，其与所述第2包覆层电连接；以及第3电极，其与所述第2包覆层电连接，且配置于与配置了所述第2电极的位置不同的位置，所述层叠结构体具有光波导，所述光波导包括：直线波导部，其沿着相对于所述层叠结构体的前端面的法线倾斜的直线，从设置于所述层叠结构体的前端面的光射出部延伸；以及曲线波导部，其与所述直线波导部连接，并且包含具备具有曲率的形状的曲线波导，注入到位于所述第1电极与所述第2电极之间的所述直线波导部的电流密度比注入到位于所述第1电极与所述第3电极之间的所述曲线波导部的电流密度大。
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