[发明专利]半导体发光装置、超辐射发光二极管以及投影仪

说明书

技术领域

本发明涉及半导体发光装置、超辐射发光二极管以及投影仪。

背景技术

超辐射发光二极管（Super Luminescent Diode，以下也称为“SLD”）是与普通的发光二极管同样显示出非相干性，并且显示出宽带的频谱形状，并且在光输出特性中与半导体激光器同样能够以单一的元件得到数百mW左右的输出的半导体发光装置。

SLD例如被使用作投影仪的光源。为了实现小型、高亮度的投影仪，需要提高光源的发光效率以及减少光学系统的损失、部件数的减少等。通过使用SLD作为光源，能够减少颜色分离光学系统所需要的二向色镜、半导体激光器的安全性的确保以及斑点噪声的降低所需要的旋转扩散板。

例如，专利文献1公开了具有具备了直线波导部和曲线波导部的光波导的SLD。

专利文献1：日本特开2012－43950号公报

然而，在上述那样的SLD中，在活性层内传导的光朝向光射出部侧（反射率较小的侧）呈指数函数地被放大。因此，在光射出部侧，相对于光，载流子相对来说变得不足。由此，存在产生增益饱和，光输出降低的情况。

发明内容

本发明的几个方式所涉及的目的之一在于提供能够抑制因增益饱和而光输出降低的半导体发光装置。另外，本发明的几个方式所涉及的目的之一在于提供包含上述半导体发光装置的投影仪。

本发明的半导体发光装置具备：

层叠结构体，其包括发光层以及夹着上述发光层的第1包覆层以及第2包覆层；

第1电极，其与上述第1包覆层电连接；

第2电极，其与上述第2包覆层电连接；以及

第3电极，其与上述第2包覆层电连接，且配置于与配置有上述第2电极的位置不同的位置，

上述层叠结构体具有光波导，

上述光波导包括：

直线波导部，其沿着相对上述层叠结构体的前端面的法线倾斜的直线，从设置于上述层叠结构体的前端面的光射出部延伸；以及

曲线波导部，其与上述直线波导部连接，并且包含具备具有曲率的形状的曲线波导，

注入到位于上述第1电极与上述第2电极之间的上述直线波导部的电流密度比注入到位于上述第1电极与上述第3电极之间的上述曲线波导部的电流密度大。

根据这样的半导体发光装置，能够抑制因增益饱和而光输出降低。并且，根据半导体发光装置，能够不构成直接的谐振器，能够抑制光波导产生的光的激光振荡。因此，能够减少斑点噪声。

此外，在本发明所涉及的记载中，将“电连接”这样的语句例如用于与“确定的部件（以下称为“A部件”）“电连接”的其他的确定的部件（以下称为“B部件”）”等。在本发明所涉及的记载中，在该例这样的情况下，使用“电连接”这样的语句，作为包括A部件与B部件直接接触地电连接这样的情况、和A部件与B部件经由其他部件电连接这样的情况的意思。

在本发明所涉及的半导体发光装置中，注入到位于上述第1电极与上述第2电极之间的上述直线波导部的电流密度也可以比注入到位于上述第1电极与上述第3电极之间的上述直线波导部的电流密度大。

根据这样的半导体发光装置，能够抑制因增益饱和而导致的光输出降低。

在本发明所涉及的半导体发光装置中，上述光波导也可以被设置成从上述层叠结构体的前端面延伸至后端面。

根据这样的半导体发光装置，能够抑制因增益饱和而导致的光输出降低。

在本发明所涉及的半导体发光装置中，上述曲线波导部也可以垂直地到达上述层叠结构体的后端面。

根据这样的半导体发光装置，能够减少设置于后端面的反射部中的光损失。

在本发明所涉及的半导体发光装置中，上述曲线波导部也可以形成在比上述光波导的中心更靠近上述层叠结构体的后端面侧。

根据这样的半导体发光装置，能够减少曲线波导部中的光损失。

在本发明所涉及的半导体发光装置中，也可以在上述层叠结构体的后端面形成层叠了多个介电膜的高反射率膜。

根据这样的半导体发光装置，在光波导内产生的光的波段中，能够提高后端面的反射率，能够具有光损失小的反射部。

在本发明所涉及的半导体发光装置中，也可以在上述层叠结构体的前端面形成有极低反射率膜，上述极低反射率膜是一层或者多层介电膜。

根据这样的半导体发光装置，在光波导内所产生的光的波段中，能够降低前端面的反射率，能够具有光损失较小的光射出部。并且，根据这样的半导体发光装置，能够不构成直接的谐振器，能够抑制光波导产生的光的激光振荡。