[发明专利]半导体装置、AC/DC转换器、PFC电路和电机驱动器有效
| 申请号： | 201410061193.1 | 申请日： | 2014-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN104868890B | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 近藤启 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H03K17/04 | 分类号： | H03K17/04;H03K17/567 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 陶海萍 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体装置、交流/直流（AC/DC）转换器、功率因数校正（PFC）电路和电机驱动器，该半导体装置具有绝缘栅双极型晶体管（IGBT），所述绝缘栅双极型晶体管具有第一双极型晶体管（Q1）和第一场效应晶体管（NM1），所述第一双极型晶体管的基极连接所述第一场效应晶体管的漏极；其中，所述半导体装置还具有旁通路径，所述旁通路径的一端连接所述第一双极型晶体管的发射极，所述旁通路径的另一端连接所述第一双极型晶体管的基极，并且，所述绝缘栅双极型晶体管处于导通状态时所述旁通路径的阻抗与所述绝缘栅双极型晶体管处于关断状态时所述旁通路径的阻抗不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 ac dc 转换器 pfc 电路 电机 驱动器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具有绝缘栅双极型晶体管(IGBT)，所述绝缘栅双极型晶体管具有第一双极型晶体管(Q1)和第一场效应晶体管(NM1)，所述第一双极型晶体管的基极连接所述第一场效应晶体管的漏极，其特征在于，所述半导体装置还具有旁通路径，所述旁通路径的一端连接所述第一双极型晶体管的发射极，所述旁通路径的另一端连接所述第一双极型晶体管的基极，并且，所述绝缘栅双极型晶体管处于导通状态时所述旁通路径的阻抗与所述绝缘栅双极型晶体管处于关断状态时所述旁通路径的阻抗不同，其中，所述绝缘栅双极型晶体管处于导通状态时，所述旁通路径的阻抗变大；所述绝缘栅双极型晶体管处于关断状态时，所述旁通路径的阻抗变小。
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