[发明专利]半导体装置、AC/DC转换器、PFC电路和电机驱动器有效
| 申请号： | 201410061193.1 | 申请日： | 2014-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN104868890B | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 近藤启 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H03K17/04 | 分类号： | H03K17/04;H03K17/567 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 陶海萍 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 ac dc 转换器 pfc 电路 电机 驱动器 | ||
1.一种半导体装置，具有绝缘栅双极型晶体管(IGBT)，所述绝缘栅双极型晶体管具有第一双极型晶体管(Q1)和第一场效应晶体管(NM1)，所述第一双极型晶体管的基极连接所述第一场效应晶体管的漏极，
其特征在于，所述半导体装置还具有旁通路径，所述旁通路径的一端连接所述第一双极型晶体管的发射极，所述旁通路径的另一端连接所述第一双极型晶体管的基极，
并且，所述绝缘栅双极型晶体管处于导通状态时所述旁通路径的阻抗与所述绝缘栅双极型晶体管处于关断状态时所述旁通路径的阻抗不同，其中，
所述绝缘栅双极型晶体管处于导通状态时，所述旁通路径的阻抗变大；
所述绝缘栅双极型晶体管处于关断状态时，所述旁通路径的阻抗变小。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述旁通路径包括第二场效应晶体管(PM2)，所述第二场效应晶体管为P沟道金属氧化物晶体管。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
所述第二场效应晶体管的漏极连接所述第一双极型晶体管的基极，
所述第二场效应晶体管的源极连接所述第一双极型晶体管的发射极。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
所述第二场效应晶体管的栅极接地。
5.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体装置还具有串联于所述第二场效应晶体管的漏极和所述第一场效应晶体管的栅极之间的至少两个电容，
所述第二场效应晶体管的栅极与所述至少两个电容的中间电极连接。
6.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
所述第二场效应晶体管的漏极与所述第二场效应晶体管的背栅极连接。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括：
第二双极型晶体管(Q2)，所述第二双极型晶体管的发射极连接所述第一双极型晶体管的发射极，所述第二双极型晶体管的基极连接所述第一场效应晶体管的漏极。
8.一种交流/直流(AC/DC)转换器，其包括如权利要求1-7任意一项所述的半导体装置。
9.一种功率因数校正(PFC)电路，其包括如权利要求1-7任意一项所述的半导体装置。
10.一种电机驱动器，其包括如权利要求1-7任意一项所述的半导体装置。
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