[发明专利]一种半导体用纳米级高纯硅微粉的生产方法在审
申请号: | 201410059632.5 | 申请日: | 2014-02-23 |
公开(公告)号: | CN104860323A | 公开(公告)日: | 2015-08-26 |
发明(设计)人: | 陈立艳 | 申请(专利权)人: | 新沂市宏润石英硅微粉有限公司 |
主分类号: | C01B33/18 | 分类号: | C01B33/18;B82Y30/00 |
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地址: | 221400 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体用纳米级高纯硅微粉的生产方法,该产品属于优质高纯石英精加工领域;本发明是以优质高纯石英99.7-99.9%、硅烷偶联剂kh560和含氨为26%的氨水1:1的混合物0.1-0.3%为原料,以高温烧结炉、破碎机、粉碎机、研磨机、纳米级超细磨、磁选机、搅拌罐、高速搅拌机为设备,通过高纯石英的烧结熔融后凝固、破碎、粉碎、研磨、磁选、活化包装后制得成品,产品半导体用纳米级高纯硅微粉具有介电性能优异、热膨胀系数低、导热系数高、悬浮性能好,物理和化学性质稳定、光学性质独特、粒度分布可控的优点,是一种用途极为广泛的无机非金属材料。 | ||
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【主权项】:
一种半导体用纳米级高纯硅微粉的生产方法,使用的原料按重量百分比计算:包括优质高纯石英99.7‑99.9%、硅烷偶联剂kh560和含氨为26%的氨水1:1的混合物0.1‑0.3%;其特征是:步骤(1)将配方量的优质高纯石英送入送入高温烧结炉,调炉内温度为1830℃‑1870℃,熔化时间为12.5‑13.5小时,得到高纯石英熔融体,熔化结束后停止向高温烧结炉供电,降温至常温冷却后得到大块的固体高纯熔融石英,先经机械冲击成小块后送入破碎机破碎成直径为2‑5毫米的石英砂后再送入粉碎机粉碎为直径为1毫米的石英砂;步骤(2)将直径1毫米的石英砂送到研磨机进行研磨,控制研磨机的进料和出料速度均衡,喂料和出料的数量为1.2‑1.4吨/小时,研磨机的转速为20‑22转/分,研磨时间为5‑5.5小时,研磨后的硅微粉再送入纳米级超细磨研磨成颗粒度为纳米级的硅微粉,将纳米级硅微粉送入磁选机,磁选时间为0.1‑0.2小时后将微量的含磁、含金属及金属氧化物的硅微粉颗粒进行分离去除,剩余的即为纳米级纯净的硅微粉;步骤(3)将纳米级纯净的硅微粉送入高速搅拌机,调高速搅拌机的转速为880‑920转/分,搅拌时间以硅微粉自然升温至88‑92℃时,此时将配方量的硅烷偶联剂kh560和含氨为26%的氨水按1:1的比例混合后的混合液送入高速搅拌机,继续高速搅拌0.5‑0.6小时,使硅烷偶联剂kh560和含氨为26%的氨水混合液与硅微粉充分混合,当温度达到128‑132℃时,停止搅拌,让其自然降温至常温,得到成品。
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