[发明专利]一种半导体用纳米级高纯硅微粉的生产方法

权利要求书

1.一种半导体用纳米级高纯硅微粉的生产方法，使用的原料按重量百分比计算：包括优质高纯石英99.7-99.9%、硅烷偶联剂kh560和含氨为26%的氨水1:1的混合物0.1-0.3%；其特征是：

步骤（1）将配方量的优质高纯石英送入送入高温烧结炉，调炉内温度为1830℃-1870℃，熔化时间为12.5-13.5小时，得到高纯石英熔融体，熔化结束后停止向高温烧结炉供电，降温至常温冷却后得到大块的固体高纯熔融石英，先经机械冲击成小块后送入破碎机破碎成直径为2-5毫米的石英砂后再送入粉碎机粉碎为直径为1毫米的石英砂；

步骤（2）将直径1毫米的石英砂送到研磨机进行研磨，控制研磨机的进料和出料速度均衡，喂料和出料的数量为1.2-1.4吨／小时，研磨机的转速为20-22转／分，研磨时间为5-5.5小时，研磨后的硅微粉再送入纳米级超细磨研磨成颗粒度为纳米级的硅微粉，将纳米级硅微粉送入磁选机，磁选时间为0.1-0.2小时后将微量的含磁、含金属及金属氧化物的硅微粉颗粒进行分离去除，剩余的即为纳米级纯净的硅微粉；

步骤（3）将纳米级纯净的硅微粉送入高速搅拌机，调高速搅拌机的转速为880-920转/分，搅拌时间以硅微粉自然升温至88-92℃时，此时将配方量的硅烷偶联剂kh560和含氨为26%的氨水按1:1的比例混合后的混合液送入高速搅拌机，继续高速搅拌0.5-0.6小时，使硅烷偶联剂kh560和含氨为26%的氨水混合液与硅微粉充分混合，当温度达到128-132℃时，停止搅拌，让其自然降温至常温，得到成品。

2.根据权利要求1所述的一种半导体用纳米级高纯硅微粉的生产方法，其步骤（1）的特征是：所述的高温烧结炉中的熔融温度为1830℃时、对应的熔化时间为13.5小时；熔融温度为1850℃时、对应的熔化时间为13小时；熔融温度为1870℃时、对应的熔化时间为12.5小时。

3.根据权利要求1所述的一种半导体用纳米级高纯硅微粉的生产方法，其步骤（2）的特征是：所述研磨机的转速为20转／分时，对应的研磨时间为5.5小时；研磨机的转速为21转／分时，对应的研磨时间为5.25小时；研磨机的转速为22转／分时，对应的研磨时间为5.0小时。