[发明专利]图形化衬底用掩膜版、图形化衬底及其制造方法在审
| 申请号： | 201410058087.8 | 申请日： | 2014-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN103792784A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 黄小辉;郑远志;周德保;滕龙;霍丽艳;杨东;陈向东;康建;梁旭东 | 申请（专利权）人： | 圆融光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 黄健 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种图形化衬底用掩膜版、图形化衬底及其制造方法。所述图形化衬底用掩膜版包括光刻板，所述光刻板上包括单元阵列和网格，所述单元阵列包括若干个呈掩膜图形的单元，所述网格由条状边线交叉连接形成，并包括若干个由所述条状边线围成的网格单元，每一个所述网格单元的内部设有所述单元阵列中的一个单元。在利用该图形化衬底用掩膜版制作的图形化衬底上生长的LED结构具有较高的晶体质量和光提取效率，LED器件电学性能优异。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 衬底 用掩膜版 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种图形化衬底用掩膜版，其特征在于，包括光刻板，所述光刻板上包括单元阵列和网格，所述单元阵列包括若干个呈掩膜图形的单元，所述网格由条状边线交叉连接形成，并包括若干个由所述条状边线围成的网格单元，每一个所述网格单元的内部设有所述单元阵列中的一个单元。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于圆融光电科技有限公司，未经圆融光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410058087.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于光刻胶的热致酸生成剂
- 下一篇：一种液晶显示装置和液晶显示器以及电子设备
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
