[发明专利]平面VDMOS栅源漏电的处理方法有效
| 申请号： | 201410048803.4 | 申请日： | 2014-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN104835741B | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种平面VDMOS栅源漏电的处理方法，该方法包括在半导体衬底表面生成初始氧化层；根据预设环区版图对初始氧化层进行刻蚀，以在半导体衬底表面形成环区、栅极走线和栅极手指；根据预设的氧气流量，通过热氧化处理对环区进行离子驱入，并在半导体衬底表面上形成厚度为的氧化层；根据预设有源区版图在半导体衬底表面上形成有源区，有源区的边界覆盖至栅极手指；在有源区和半导体衬底表面生长栅氧化层，以隔离有源区和栅极手指。通过在环区离子驱入过程中以热氧化在半导体衬底表面生成一氧化层，并控制氧气的流量来保证该氧化层的厚度，使得对半导体衬底的消耗非常小，使得源栅漏电问题得以解决。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 vdmos 漏电 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种平面VDMOS栅源漏电的处理方法，其特征在于，包括：在半导体衬底表面生成初始氧化层；根据预设环区版图对所述初始氧化层进行刻蚀，以在所述半导体衬底表面形成环区、栅极走线和栅极手指；根据预设的氧气流量，通过热氧化处理对所述环区进行离子驱入，并在所述半导体衬底表面上形成氧化层，所述氧化层的厚度为其中，所述氧气流量为0.15升/分钟；根据预设有源区版图在所述半导体衬底表面上形成有源区，所述有源区的边界覆盖至所述栅极手指；在所述有源区和所述半导体衬底表面生长栅氧化层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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