[发明专利]平面VDMOS栅源漏电的处理方法有效
| 申请号： | 201410048803.4 | 申请日： | 2014-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN104835741B | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平面 vdmos 漏电 处理 方法 | ||
1.一种平面VDMOS栅源漏电的处理方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底表面生成初始氧化层；
根据预设环区版图对所述初始氧化层进行刻蚀，以在所述半导体衬底表面形成环区、栅极走线和栅极手指；
根据预设的氧气流量，通过热氧化处理对所述环区进行离子驱入，并在所述半导体衬底表面上形成氧化层，所述氧化层的厚度为其中，所述氧气流量为0.15升/分钟；
根据预设有源区版图在所述半导体衬底表面上形成有源区，所述有源区的边界覆盖至所述栅极手指；
在所述有源区和所述半导体衬底表面生长栅氧化层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据预设有源区版图在所述半导体衬底表面上形成有源区，包括：
根据预设有源区版图，在所述氧化层上涂光刻胶；
对涂有光刻胶的氧化层进行曝光显影；
对曝光显影后的氧化层进行各向同性腐蚀，以在所述半导体衬底表面形成有源区；
去除曝光显影后的光刻胶。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述各向同性腐蚀过程中使用的酸性溶液为硫酸、盐酸、硝酸、氢氟酸中的一种或多种的组合。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的方法，其特征在于，所述热氧化处理的方式包括干氧氧化处理和湿氧氧化处理。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的方法，其特征在于，所述热氧化处理过程中的氧化温度为800℃～1100℃，环区离子驱入的温度为1100℃。
6.根据权利要求1～3中任一项所述的方法，其特征在于，所述热氧化处理过程中的气压为1bar。
7.根据权利要求1～3中任一项所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底的类型包括N型半导体衬底和P型半导体衬底。
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