[发明专利]显示面板有效
申请号: | 201410048562.3 | 申请日: | 2014-02-11 |
公开(公告)号: | CN104835827B | 公开(公告)日: | 2018-06-05 |
发明(设计)人: | 李冠锋;林明昌;颜子旻 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G02F1/136 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种显示面板,其薄膜晶体管基板包括底板、栅极层、栅极介电层、半导体层、第一电极层、第一钝化层、第二钝化层、通孔及第二电极层。栅极层位于基板上。栅极介电层位于栅极层上。半导体层位于栅极介电层上。第一电极层位于半导体层上。第一钝化层位于第一电极层上。第二钝化层位于第一钝化层上。通孔贯穿第一钝化层及第二钝化层,以暴露部分的第一电极层。第二电极层通过通孔与第一电极层电连接。其中,第一钝化层在通孔侧边具有第一倾角,第二钝化层在通孔侧边具有第二倾角,第一倾角与第二倾角的角度差小于30度。 | ||
搜索关键词: | 钝化层 第一电极 通孔 栅极介电层 半导体层 栅极层 第二电极 显示面板 侧边 薄膜晶体管基板 底板 电连接 角度差 基板 暴露 贯穿 | ||
【主权项】:
一种显示面板,包括:薄膜晶体管基板,包括:底板;栅极层,位于该底板之上;栅极介电层,位于该栅极层之上;半导体层,位于该栅极介电层之上;第一电极层,位于该半导体层之上;第一钝化层,位于该第一电极层之上;有机层,位于该第一钝化层之上;第二钝化层,位于该有机层之上,其中,一通孔贯穿该第二钝化层、该有机层及该第一钝化层,暴露部分的该第一电极层及部分的该第一钝化层;及第二电极层,位于该第二钝化层之上,并通过该通孔与该第一电极层电连接,其中,暴露的该第一钝化层包括一第一侧边缘及一第一上边缘,该第二钝化层包括一第二侧边缘,该第一上边缘位于该第一侧边缘及该第二侧边缘之间,该第一上边缘的宽度介于500‑2000埃
该第二电极层接触该第一钝化层的该第一上边缘,该第一侧边缘具有一第一倾角,该第二侧边缘具有一第二倾角,该第一倾角与该第二倾角的角度差小于30度;对向基板,与该薄膜晶体管基板相对设置;以及显示层,位于该薄膜晶体管基板及该对向基板之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的