[发明专利]显示面板

权利要求书

1.一种显示面板，包括：

薄膜晶体管基板，包括：

底板；

栅极层，位于该底板之上；

栅极介电层，位于该栅极层之上；

半导体层，位于该栅极介电层之上；

第一电极层，位于该半导体层之上；

第一钝化层，位于该第一电极层之上；

有机层，位于该第一钝化层之上；

第二钝化层，位于该有机层之上，其中，一通孔贯穿该第二钝化层、该有机层及该第一钝化层，暴露部分的该第一电极层及部分的该第一钝化层；及

第二电极层，位于该第二钝化层之上，并通过该通孔与该第一电极层电连接，

其中，暴露的该第一钝化层包括一第一侧边缘及一第一上边缘，该第二钝化层包括一第二侧边缘，该第一上边缘位于该第一侧边缘及该第二侧边缘之间，该第一上边缘的宽度介于500-2000埃该第二电极层接触该第一钝化层的该第一上边缘，该第一侧边缘具有一第一倾角，该第二侧边缘具有一第二倾角，该第一倾角与该第二倾角的角度差小于30度；

对向基板，与该薄膜晶体管基板相对设置；以及

显示层，位于该薄膜晶体管基板及该对向基板之间。

2.如权利要求1所述的显示面板，其中在该通孔侧边，该第二钝化层直接覆盖在该第一钝化层之上。

3.如权利要求1所述的显示面板，其中该第二钝化层由一第一钝化膜及一第二钝化膜组成，且该第一钝化膜位于该第一钝化层及该第二钝化膜之间。

4.如权利要求3所述的显示面板，其中于相同蚀刻条件下该第一钝化膜的蚀刻速率小于该第二钝化膜的蚀刻速率。

5.如权利要求1所述的显示面板，其中该半导体层的材料为氧化铟镓锌(IGZO)，该第一钝化层的材料为氧化硅，而该第二钝化层的材料为氮化硅。

6.如权利要求1所述的显示面板，其中该第一侧边缘在该通孔侧边，该第二侧边缘在该通孔侧边，该第二侧边缘较该第一侧边缘远离该通孔。

7.如权利要求1所述的显示面板，其中该第一倾角与该第二倾角的角度差介于3-10度。

8.一种显示面板，包括：

薄膜晶体管基板，包括：

底板；

栅极层，位于该底板之上；

栅极介电层，位于该栅极层之上；

半导体层，位于该栅极介电层之上；

第一电极层，位于该半导体层之上；

第一钝化层，位于该第一电极层之上；

有机层，形成于该第一钝化层之上；

第二钝化层，位于该有机层之上，其中，一通孔贯穿该第二钝化层、该有机层及该第一钝化层，暴露部分的该第一电极层及部分的该第一钝化层；及

第二电极层，位于该第二钝化层之上，并通过该通孔与该第一电极层电连接，

其中，暴露的该第一钝化层包括一第一侧边缘及一第一上边缘，该第二钝化层包括一第二侧边缘，该第一上边缘位于该第一侧边缘及该第二侧边缘之间，该第一上边缘的宽度介于500-2000埃该第二电极层接触该第一钝化层的该第一上边缘，该第二钝化层为多层钝化膜组成的多层结构，且该第二侧边缘具有介于10-80度的一第二倾角；

对向基板，与该薄膜晶体管基板相对设置；以及

显示层，位于该薄膜晶体管基板及该对向基板之间。

9.如权利要求8所述的显示面板，其中在该通孔侧边，该第二钝化层直接覆盖在该第一钝化层之上。

10.如权利要求8所述的显示面板，其中该第二钝化层由一第一钝化膜及一第二钝化膜组成，且该第一钝化膜位于该第一钝化层及该第二钝化膜之间。

11.如权利要求10所述的显示面板，其中于相同蚀刻条件下该第一钝化膜的蚀刻速率小于该第二钝化膜的蚀刻速率。