[发明专利]一种多值非易失性有机阻变存储器及制备方法有效

专利信息
申请号: 201410047253.4 申请日: 2014-02-11
公开(公告)号: CN103887431B 公开(公告)日: 2017-01-04
发明(设计)人: 蔡一茂;刘业帆;方亦陈;王宗巍;李强;余牧溪;潘越;黄如 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01L51/30 分类号: H01L51/30;H01L51/40
代理公司: 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200 代理人: 余长江
地址: 100871 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种多值非易失性有机阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器包括顶电极、底电极以及位于顶电极和底电极之间的中间功能层,中间功能层为至少两层聚对二甲苯。该方法包括:采用PVD方法在衬底上生长底电极材料,并采用标准光刻技术使底电极图形化;采用聚合物化学气相淀积方法在底电极上依次生长多层聚对二甲苯材料;通过光刻和刻蚀定义底层电极的引出通孔;采用PVD方法在聚对二甲苯材料上生长顶电极材料,通过光刻、剥离定义顶层电极,并将底电极引出。本发明能够在不改变器件基本结构的条件下,通过采用两侧均为较惰性电极以及多层聚对二甲苯的淀积来实现具有自限流效果的多值存储功能。
搜索关键词: 一种 多值非易失性 有机 存储器 制备 方法
【主权项】:
一种多值非易失性有机阻变存储器,其特征在于,包括顶电极、底电极以及位于顶电极和底电极之间的中间功能层,所述顶电极和底电极为惰性电极,所述中间功能层为至少两层聚对二甲苯;所述至少两层聚对二甲苯中,与上层聚对二甲苯相邻的下层聚对二甲苯具有氧化的表面。
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