[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201410045315.8 | 申请日： | 2014-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN103972277B | 公开（公告）日： | 2017-06-27 |
| 发明（设计）人： | 山口义弘 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L21/28;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 何立波,张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种能够实现大容量化并且能够容易地制造的半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明具有板状的电极部件即板电极（5）；在板电极（5）上设置的作为一体化绝缘片的环氧片（3）；以及在环氧片（3）上设置的作为控制基板的双面印刷基板（1），本发明具有将板电极（5）和双面印刷基板（1）通过环氧片（3）形成为一体的基板一体型电极（10）。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其具有：板状的电极部件；在所述电极部件上设置的一体化绝缘片；以及在所述一体化绝缘片上设置的控制基板，该半导体装置的特征在于，具有使所述电极部件和所述控制基板通过所述一体化绝缘片形成为一体的基板一体型电极，所述基板一体型电极被用作与半导体元件电连接的电极。
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