[发明专利]双极半导体开关及其制造方法

摘要

本发明涉及双极半导体开关及其制造方法。提供了一种具有半导体主体的双极半导体开关。半导体主体包括第一p型半导体区、第二p型半导体区、以及第一n型半导体区，第一n型半导体区与第一p型半导体区形成第一pn结并且与第二p型半导体区形成第二pn结。在第一pn结和第二pn结之间穿过第一n型半导体区的最短路径上，电荷复合中心的浓度和n掺杂剂的浓度变化。电荷复合中心的浓度在沿最短路径的一点处具有最大值，在该点处n掺杂剂的浓度至少接近于最大掺杂剂浓度。另外，提供了一种用于双极半导体开关的制造方法。

主权项

一种双极半导体开关，包括半导体主体，半导体主体包括：第一p型半导体区；第二p型半导体区；以及第一n型半导体区，与第一p型半导体区形成第一pn结，并且与第二p型半导体区形成第二pn结；其中，在第一pn结和第二pn结之间穿过第一n型半导体区的最短路径上，电荷复合中心的浓度和n掺杂剂的浓度变化，以便电荷复合中心的浓度在沿所述最短路径的一点处于最大值，在所述点处n掺杂剂的浓度处于或接近于局部最大掺杂剂浓度，其中，所述局部最大掺杂剂浓度是在最短路径上的n掺杂剂的浓度的至少两个局部最大值中的一个。