[发明专利]一种碳化硅功率器件结终端结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201410044259.6 | 申请日： | 2014-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103824878B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 杨勇雄;吴煜东;何多昌;蒋华平;李诚瞻;赵艳黎;吴佳;唐龙谷 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人： | 吴大建,刘华联 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳化硅功率器件结终端结构及其制造方法。该碳化硅功率器件结终端结构包括多个场限环，其通过掺杂间隔设置于外延层上；掺杂区，其设置于所述外延层的上方；其中，所述掺杂区是在所述外延层上通过再次外延得到。本发明的结终端结构使得功率器件具有较好的耐压能力和较高的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 功率 器件 终端 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅功率器件结终端结构，其特征在于，包括：多个场限环，其通过掺杂间隔设置于外延层上；掺杂区，其设置于所述外延层的上方，并覆盖于所述场限环的上方；其中，所述掺杂区是在所述外延层上通过再次外延得到，所述掺杂区包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第二掺杂区至少自最外侧场限环的外侧冶金结面向外延伸预定距离，所述第一掺杂区设置于掺杂区的其余区域，并且所述第二掺杂区的掺杂浓度大于所述第一掺杂区的掺杂浓度，但小于所述场限环的掺杂浓度，所述第一掺杂区的导电类型与所述外延层的导电类型相同，所述第二掺杂区的导电类型与所述场限环的导电类型相同。
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