[发明专利]一种碳化硅功率器件结终端结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201410044259.6 | 申请日： | 2014-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103824878B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 杨勇雄;吴煜东;何多昌;蒋华平;李诚瞻;赵艳黎;吴佳;唐龙谷 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人： | 吴大建,刘华联 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 功率 器件 终端 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种碳化硅功率器件结终端结构，其特征在于，包括：
多个场限环，其通过掺杂间隔设置于外延层上；
掺杂区，其设置于所述外延层的上方；
其中，所述掺杂区是在所述外延层上通过再次外延得到。
2.根据权利要求1所述的结终端结构，其特征在于，所述掺杂区包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第二掺杂区至少自最外侧场限环的外侧冶金结面向外延伸预定距离，所述第一掺杂区设置于其余区域，并且所述第二掺杂区的掺杂浓度大于所述第一掺杂区的掺杂浓度，但小于所述场限环的掺杂浓度。
3.根据权利要求2所述的结终端结构，其特征在于，所述第二掺杂区还设置于最外侧主结与最外侧场限环的外侧冶金结面之间。
4.根据权利要求2所述的结终端结构，其特征在于，所述第二掺杂区还设置于所述场限环之间。
5.根据权利要求2所述的结终端结构，其特征在于，所述第二掺杂区还横跨所述场限环的外侧冶金结面，并且所述第二掺杂区自位于所述最外侧主结和所述最外侧场限环之间的中间场限环的外侧冶金结面向外延伸预定距离。
6.根据权利要求2至5中任一项所述的结终端结构，其特征在于，所述第一掺杂区的导电类型与所述外延层的导电类型相同，所述第二掺杂区的导电类型与所述场限环的导电类型相同。
7.根据权利要求6所述的结终端结构，其特征在于，所述第二掺杂区的掺杂浓度为1×1014cm-3～1×1017cm-3。
8.根据权利要求1所述的结终端结构，其特征在于，所述掺杂区的厚度为100nm～5000nm。
9.一种碳化硅功率器件结终端结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：在外延层上制作多个主结和多个场限环；
步骤2：外延生长掺杂区。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，还包括以下步骤：
步骤3：对所述多个主结补充注入离子；
步骤4：制作掩膜，以在所述掺杂区形成第二掺杂区的注入窗口；
步骤5：离子注入，以形成所述第二掺杂区，其中所述掺杂区的未进行离子注入的部分为第一掺杂区。
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