[发明专利]超结MOSFET的制作方法

摘要

本发明提供一种超结MOSFET的制作方法，该方法包括：对N型衬底外延层窗口下方的区域分别进行各向同性刻蚀和各向异性刻蚀，进而生长P型外延层以形成P型体区；在所述P型体区和所述N型衬底外延层的表面上依次生长栅氧化层和多晶硅层，并对所述多晶硅层上与所述P型体区对应的预设区域进行刻蚀，以露出所述栅氧化层，形成栅极；对所述P型体区的预设N型区域进行N型离子注入，以形成N型源区；在所述多晶硅层和所述栅氧化层上生长介质层和金属层，以完成所述超结MOSFET的制作。通过优化P型体区的形成过程，避免了现有技术中P型离子的注入与驱入过程，使得超结MOSFET的制作工艺流程得以简化，降低了生产生本。

主权项

一种超结MOSFET的制作方法，其特征在于，包括：对N型衬底外延层上表面的初始氧化层的第一区域和第二区域进行刻蚀，以露出所述N型衬底外延层，形成窗口；对所述窗口下方的区域进行各向同性刻蚀，在所述N型衬底外延层上形成第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽的宽度均大于所述窗口的宽度；对所述窗口下方的区域进行各向异性刻蚀，在所述第一凹槽和所述第二凹槽的下方分别形成第一深沟槽和第二深沟槽，所述第一深沟槽小于所述第一凹槽的宽度，所述第二深沟槽的宽度小于所述第二凹槽的宽度；去除所述初始氧化层，并在所述N型衬底外延层上生长P型外延层，其中，所述P型外延层分别填满所述第一凹槽、所述第一深沟槽和所述第二凹槽、所述第二深沟槽，以形成P型体区；在所述P型体区和所述N型衬底外延层的表面上依次生长栅氧化层和多晶硅层，并对所述多晶硅层上与所述P型体区对应的预设区域进行刻蚀，以露出所述栅氧化层，形成栅极；对所述P型体区的预设N型区域进行N型离子注入，以形成N型源区；在所述多晶硅层和所述栅氧化层上生长介质层和金属层，以完成所述超结MOSFET的制作。