[发明专利]双扩散金属氧化物晶体管制作方法及晶体管器件

摘要

本发明提供了一种双扩散金属氧化物晶体管制作方法和一种双扩散金属氧化物晶体管器件，其中，双扩散金属氧化物晶体管制作方法包括：在N型硅半导体外延层的表面依次生长栅氧化层和淀积多晶硅层，在多晶硅层上形成多晶硅窗口；通过多晶硅窗口向N型硅半导体外延层注入掺杂元素，形成P型体区；通过多晶硅窗口向P型体区注入N型掺杂元素，形成源极区域；向多晶硅窗口第一次注入P型掺杂元素，在多个源极区域之间形成P型阱区；在形成有P型阱区的衬底上淀积介质层；打开多晶硅窗口区域中的源极接触孔，去除接触孔内的部分氧化硅；向接触孔第二次注入P型掺杂元素，以增加P型阱区的结深。本发明优化了元胞结构，降低了晶体管基区电阻，获得更好的抗雪崩冲击能力。

主权项

1.一种双扩散金属氧化物晶体管制作方法，其特征在于，包括：在N型硅半导体衬底上形成N型硅半导体外延层之后，在所述N型硅半导体外延层的表面依次生长栅氧化层和淀积多晶硅层，通过光刻及刻蚀在所述多晶硅层上形成多晶硅窗口；通过所述多晶硅窗口向所述N型硅半导体外延层注入掺杂元素，形成P型体区；通过所述多晶硅窗口向所述P型体区注入N型掺杂元素，形成源极区域；向所述多晶硅窗口第一次注入P型掺杂元素，在多个所述源极区域之间形成P型阱区；在形成有所述P型阱区的衬底上淀积介质层；打开所述多晶硅窗口区域中的源极接触孔，去除所述源极接触孔内的部分氧化硅，以在所述P型阱区中形成沟槽，所述沟槽的槽深大于或等于所述源极区域在纵向上的深度；向所述源极接触孔第二次注入P型掺杂元素，以增加所述P型阱区的结深；第一次注入P型掺杂元素的剂量与第二次注入P型掺杂元素的剂量相同。