[发明专利]一种高纯度大尺寸碳化硅单晶及其制备工艺有效
| 申请号： | 201410035118.8 | 申请日： | 2014-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN103757703A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 吕佳成;汪长安 | 申请（专利权）人： | 汪长安 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B11/02 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 许宗富;周秀梅 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高纯度大尺寸碳化硅单晶及其制备工艺，属于材料科学与技术领域。本发明是以高纯SiC粉为原料，按照最大密度堆积原则，使不同粒径SiC粉料达到合理的颗粒级配，得到最大的装料密度；然后装入超高功率的立式电弧炉中，在高温、高压下进行静态冶炼，通过重结晶生长出高纯度、大尺寸的碳化硅单晶。本发明制造方法具有工艺简单、成本低廉的优点，所制备的碳化硅单晶具有纯度高（>99.99%）、尺寸大（≥25mm）、无色～淡绿色、透明、3C晶体结构。本发明制备工艺简单、成本低廉、效率高，有利于推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纯度 尺寸 碳化硅 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种高纯度大尺寸碳化硅单晶的制备工艺，其特征在于：该工艺是以高纯碳化硅粉为原料，在超高功率立式电弧炉中采用静态冶炼法生产高纯度大尺寸碳化硅单晶。
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