[发明专利]促进提高热传导性的半导体布置有效
| 申请号： | 201410032858.6 | 申请日： | 2014-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN104637993B | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 宋明相;李介文;张伊锋;林文杰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体布置包括阱区和设置在阱区内的第一区域。第一区域包括第一导电类型。半导体布置包括在第一区域的第一侧上设置在阱区之上的第一栅极。第一栅极包括背离阱区的第一顶面。第一顶面具有第一顶面积。半导体布置包括设置在第一栅极之上的第一栅极接触件。第一栅极接触件包括朝向阱区的第一底面。第一底面具有第一底面积。第一底面积覆盖第一顶面积的至少约三分之二。本发明还提供了促进提高热传导性的半导体布置。 | ||
| 搜索关键词： | 促进 提高 传导性 半导体 布置 | ||
【主权项】：
一种半导体布置，包括：阱区；第一区域，设置在所述阱区内，所述第一区域包括第一导电类型；第一栅极，在所述第一区域的第一侧上设置在所述阱区之上，所述第一栅极包括背离所述阱区的第一顶面，所述第一顶面具有第一顶面积；以及第一栅极接触件，设置在所述第一栅极之上，所述第一栅极接触件包括朝向所述阱区的第一底面，所述第一底面具有第一底面积，所述第一底面积覆盖所述第一顶面积的至少三分之二；第一区域接触件，设置在所述第一区域上方；以及第一多栅极接触件与所述第一栅极接触件和所述第一区域接触件直接接触。
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