[发明专利]一种阵列基板及其制备方法

摘要

本发明实施例公开了一种阵列基板及其制备方法，包括在单晶硅层上逐层制备栅氧化层、多晶硅层；采用干法刻蚀形成图形化的多晶硅层；采用干法刻蚀去除未被多晶硅层覆盖的栅氧化层；在多晶硅层以及单晶硅层的表面上生长氧化层，该氧化层的厚度小于干法刻蚀后未被多晶硅层覆盖的栅氧化层的厚度；采用湿法刻蚀去除氧化层；最终在多晶硅层以及单晶硅层的表面生长垫氧化层。本发明实施例通过在多晶硅层以及单晶硅层的表面生长氧化层，然后采用湿法刻蚀去除该氧化层，从而能够有效地消除单晶硅层表面的损伤，以使在后续生长垫氧化层的工艺中，在单晶硅层的表面能够生长出厚度符合要求的垫氧化层，且能够避免由横向钻蚀导致的器件性能的下降的问题。

主权项

一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在单晶硅层上逐层制备栅氧化层、多晶硅层；采用干法刻蚀对所述多晶硅层进行刻蚀，形成图形化的多晶硅层；采用干法刻蚀去除未被所述多晶硅层覆盖的栅氧化层；在所述多晶硅层以及所述单晶硅层的表面生长氧化层，所述氧化层的厚度小于干法刻蚀形成图形化的多晶硅层后未被所述多晶硅层覆盖的栅氧化层的厚度；采用湿法刻蚀去除所述氧化层；在所述多晶硅层以及所述单晶硅层的表面生长垫氧化层。