[发明专利]芯片装置和用于形成芯片装置的方法有效
| 申请号： | 201410019452.4 | 申请日： | 2014-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN103928445B | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | R.奥特伦巴;M.赛布特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/50 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 刘金凤,胡莉莉 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及芯片装置和用于形成芯片装置的方法。提供了一种芯片装置，该芯片装置包括载体；包括至少一个接触焊盘的至少一个芯片，其设置在载体上；密封材料，其至少部分地围绕所述至少一个芯片和所述载体；以及至少一个低温共烧陶瓷片，其设置在所述载体的侧面上。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 装置 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片装置，包括：载体；包括至少一个接触焊盘的至少一个芯片，其设置于所述载体上；密封材料，其至少部分地围绕所述至少一个芯片和所述载体；以及多个低温共烧陶瓷片，其设置于所述载体的底侧上，所述载体的底侧与所述芯片被设置在其上的侧面相对，且其中所述多个低温共烧陶瓷片的每一个具有背离所述载体的完全暴露的表面，所述暴露的表面彼此共面，其中所述密封材料形成在所述至少一个芯片上方以及所述载体的一个或多个侧壁的上方，从而使得所述密封材料的至少一个底表面与所述载体的所述底侧邻接并共面，其中所述多个低温共烧陶瓷片中的至少一个被直接设置在所述载体的所述底侧的一部分之上，并直接设置在所述密封材料的与所述载体的所述底侧邻接并共面的所述至少一个底表面的一部分之上。
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