[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种能够对二极管区域中的电压变动进行抑制的技术。半导体装置(102)作为二极管而进行工作时的发射极(148)与下部体区(166)之间的电阻值小于阳极电极(148)与下部阳极区(168)之间的电阻值。此外，发射极(148)与第二势垒区(116)之间的空穴的量少于阳极电极(148)与第一势垒区(122)之间的空穴的量。

主权项

一种半导体装置，其在同一半导体基板中具备二极管区域以及绝缘栅双极型晶体管区域，其中，所述二极管区域具备：阴极电极；阴极区，其由第一导电型的半导体构成；第一漂移区，其由低浓度的第一导电型的半导体构成；下部阳极区，其由第二导电型的半导体构成；上部阳极区，其由第二导电型的半导体构成；阳极电极，其由金属构成；第一势垒区，其被形成在所述下部阳极区与所述上部阳极区之间，并由与所述漂移区相比浓度较高的第一导电型的半导体构成；第一柱区，其以对所述第一势垒区与所述阳极电极进行连接的方式而形成，并由与所述势垒区相比浓度较高的第一导电型的半导体构成，所述第一柱区与所述阳极电极形成肖特基结，所述绝缘栅双极型晶体管区域具备：集电极；集电区，其由第二导电型的半导体构成；第二漂移区，其从所述第一漂移区连续，并由低浓度的第一导电型的半导体构成；下部体区，其由第二导电型的半导体构成；上部体区，其由第二导电型的半导体构成；发射区，其由第一导电型的半导体构成；发射极，其由金属构成；栅电极，其隔着绝缘膜而与所述发射区和所述第二漂移区之间的所述上部体区及所述下部体区对置；第二势垒区，其被形成在所述下部体区与所述上部体区之间，并由与所述第二漂移区相比浓度较高的第一导电型的半导体构成；第二柱区，其以对所述第二势垒区与所述发射极进行连接的方式而形成，并由与所述第二势垒区相比浓度较高的第一导电型的半导体构成，所述第二柱区与所述发射极形成肖特基结，所述半导体装置作为二极管而工作时的所述发射极与所述第二势垒区之间的第二柱区的电阻值小于所述阳极电极与所述第一势垒区之间的第一柱区的电阻值。