[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201380079050.7 | 申请日： | 2013-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN105474543A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 石原三纪夫;日山一明;川濑达也;大佐贺毅 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H03K17/08 | 分类号： | H03K17/08;H01L21/60;H01L29/78;H03K17/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在半导体衬底(8)之上设置有晶体管(2)。对半导体衬底(8)的上表面的温度进行监测的温度检测用二极管(4)设置在半导体衬底(8)之上。外部电极(7)与晶体管(2)的发射极(E)、温度检测用二极管(4)的阴极(K)共同地连接。由此，能够省略温度检测用二极管(4)的阴极(K)用的外部电极，因此能够使装置小型化、提高组装性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体衬底；晶体管，其设置在所述半导体衬底之上；温度检测用二极管，其设置在所述半导体衬底之上，对所述半导体衬底的上表面的温度进行监测；以及外部电极，其与所述晶体管的发射极或源极、所述温度检测用二极管的阴极共同地连接。
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