[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201380079050.7 | 申请日： | 2013-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN105474543A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 石原三纪夫;日山一明;川濑达也;大佐贺毅 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H03K17/08 | 分类号： | H03K17/08;H01L21/60;H01L29/78;H03K17/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：
半导体衬底；
晶体管，其设置在所述半导体衬底之上；
温度检测用二极管，其设置在所述半导体衬底之上，对所述半 导体衬底的上表面的温度进行监测；以及
外部电极，其与所述晶体管的发射极或源极、所述温度检测用 二极管的阴极共同地连接。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
还具有导线，该导线将所述晶体管的发射极或源极与所述温度 检测用二极管的阴极进行连接。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
还具有与所述晶体管的发射极或源极相连接的多根导线，
将所述多根导线之中的1根进行缝焊而与所述温度检测用二极 管的阴极相连接。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还具有：
中继焊盘，其配置在所述半导体衬底的外部；
第1导线，其将所述中继焊盘与所述晶体管的发射极或源极进 行连接；以及
第2导线，其将所述中继焊盘与所述温度检测用二极管的阴极 进行连接。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还具有：
电极板，其配置在所述半导体衬底之上，背面与所述晶体管的 发射极或源极相接合；以及
导线，其将所述电极板的上表面与所述温度检测用二极管的阴 极进行连接。
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