[发明专利]半导体芯片的制造方法及使用于该方法的薄膜研磨用表面保护带无效
申请号: | 201380058726.4 | 申请日: | 2013-11-19 |
公开(公告)号: | CN104781912A | 公开(公告)日: | 2015-07-15 |
发明(设计)人: | 横井启时;冈祥文;青山真沙美 | 申请(专利权)人: | 古河电气工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;H01L21/304 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 庞东成;褚瑶杨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种高精度且简单地制造半导体芯片的方法;及用于上述方法的薄膜研磨用表面保护带,半导体芯片的制造中,进行用于倒装芯片安装工序的具有凸块电极的半导体晶片的背面研磨,同时或者在其后的工序进行芯片化,其中不使用底部填充剂。本发明为一种半导体芯片的制造方法及使用于该方法的薄膜研磨用表面保护带,该半导体芯片的制造方法中,对于形成有半导体电路的半导体晶片,且具有凸块作为电极的附有凸块的晶片内形成改质层后,研磨该半导体晶片的背面,并成批分割成各个芯片,所述制造方法具有如下工序:在形成该改质层后且研磨该半导体晶片的背面之前,将基材膜上具有黏着剂层的黏着带的黏着剂层上层积有粘接膜的薄膜研磨用表面保护带,以上述粘接膜侧贴附于半导体晶片的形成有半导体电路的那侧;和在研磨该半导体晶片的背面后进行拾取时或者转印至拾取用的带时,设置成仅该粘接膜粘接于芯片的状态。 | ||
搜索关键词: | 半导体 芯片 制造 方法 使用 薄膜 研磨 表面 保护 | ||
【主权项】:
一种半导体芯片的制造方法,对于形成有半导体电路的半导体晶片,在具有凸块作为电极的附有凸块的晶片内形成改质层后,研磨该半导体晶片的背面,并成批分割成各个芯片,其特征在于,所述制造方法具有如下工序:在形成该改质层后且研磨该半导体晶片的背面之前,将基材膜上具有黏着剂层的黏着带的黏着剂层上层积有粘接膜的薄膜研磨用表面保护带,以该粘接膜侧贴附于半导体晶片的形成有半导体电路的那侧;和在研磨该半导体晶片的背面后进行拾取时或者转印至拾取用的带时,设置成仅该粘接膜粘接于芯片的状态。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于古河电气工业株式会社,未经古河电气工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380058726.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:质量转移工具
- 下一篇:解析MS3实验期间的事件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造