[发明专利]半导体芯片的制造方法及使用于该方法的薄膜研磨用表面保护带无效

专利信息
申请号: 201380058726.4 申请日: 2013-11-19
公开(公告)号: CN104781912A 公开(公告)日: 2015-07-15
发明(设计)人: 横井启时;冈祥文;青山真沙美 申请(专利权)人: 古河电气工业株式会社
主分类号: H01L21/301 分类号: H01L21/301;H01L21/304
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 庞东成;褚瑶杨
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种高精度且简单地制造半导体芯片的方法;及用于上述方法的薄膜研磨用表面保护带,半导体芯片的制造中,进行用于倒装芯片安装工序的具有凸块电极的半导体晶片的背面研磨,同时或者在其后的工序进行芯片化,其中不使用底部填充剂。本发明为一种半导体芯片的制造方法及使用于该方法的薄膜研磨用表面保护带,该半导体芯片的制造方法中,对于形成有半导体电路的半导体晶片,且具有凸块作为电极的附有凸块的晶片内形成改质层后,研磨该半导体晶片的背面,并成批分割成各个芯片,所述制造方法具有如下工序:在形成该改质层后且研磨该半导体晶片的背面之前,将基材膜上具有黏着剂层的黏着带的黏着剂层上层积有粘接膜的薄膜研磨用表面保护带,以上述粘接膜侧贴附于半导体晶片的形成有半导体电路的那侧;和在研磨该半导体晶片的背面后进行拾取时或者转印至拾取用的带时,设置成仅该粘接膜粘接于芯片的状态。
搜索关键词: 半导体 芯片 制造 方法 使用 薄膜 研磨 表面 保护
【主权项】:
一种半导体芯片的制造方法,对于形成有半导体电路的半导体晶片,在具有凸块作为电极的附有凸块的晶片内形成改质层后,研磨该半导体晶片的背面,并成批分割成各个芯片,其特征在于,所述制造方法具有如下工序:在形成该改质层后且研磨该半导体晶片的背面之前,将基材膜上具有黏着剂层的黏着带的黏着剂层上层积有粘接膜的薄膜研磨用表面保护带,以该粘接膜侧贴附于半导体晶片的形成有半导体电路的那侧;和在研磨该半导体晶片的背面后进行拾取时或者转印至拾取用的带时,设置成仅该粘接膜粘接于芯片的状态。
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