[发明专利]用于外延生长的基材、其制造方法、及用于超导线材的基材

摘要

本发明的目的是提供一种用于外延生长的铜基材及其制造方法，该铜基材具有较高的双轴晶体取向。该用于外延生长的基材包括双轴晶体取向的铜层，该基材的特征在于，基于铜层的极图的峰的半峰全宽Δφ为5°或更小，并且基于极图的峰的裙裾宽度Δβ为15°或更小。这种用于外延生长的基材通过第一步骤和第二步骤制造，其中第一步骤为执行铜层的热处理，使得Δφ为6°或更小并且裙裾宽度Δβ为25°或更小，第二步骤为在该第一步骤之后，以比第一步骤的热处理的温度高的温度执行铜层的热处理，使得Δφ为5°或更小并且裙裾宽度Δβ为15°或更小。

主权项

一种用于外延生长的基材，包含双轴晶体取向的铜层，其中基于所述铜层的极图的峰的半峰全宽Δφ在5°以内，并且基于所述极图的所述峰的峰尾宽度Δβ在15°以内，并且其中所述铜层的所述极图通过X射线衍射获得，并且所述峰尾宽度Δβ是在对应于峰高的1/50位置处的峰宽。