[发明专利]半导体装置

摘要

减少半导体装置的寄生电容以及泄漏电流。例如在由硅构成的基板上依次外延生长有例如由厚度为100nm的AlN构成的缓冲层、厚度为2μm的非掺杂GaN层、以及厚度为20nm且Al组分比为20％的非掺杂AlGaN，源极电极以及漏极电极以与非掺杂AlGaN层欧姆接触的方式形成。而且，在栅极布线的正下方的非掺杂GaN层与非掺杂AlGaN层中，例如形成有通过Ar等的离子注入而高电阻化了的高电阻区域，高电阻区域与元件区域的边界位于栅极布线正下方。

主权项

一种半导体装置，具备：基板；氮化物半导体层，形成于所述基板的上方；形成于所述氮化物半导体层的上方的源极电极、漏极电极及栅极电极；以及栅极布线层，形成于所述氮化物半导体层的上方，并且连接于所述栅极电极；所述氮化物半导体层在所述栅极布线层的正下方并且是离开所述栅极电极侧的端部的位置具备高电阻区域，所述氮化物半导体层还具备元件区域，所述源极电极或者所述漏极电极被所述栅极电极与所述栅极布线层而被包围，所述高电阻区域与所述元件区域的边界位于所述栅极布线层的正下方。