[发明专利]氮化物半导体发光元件有效
| 申请号： | 201380040831.5 | 申请日： | 2013-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN104541381B | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 驹田聪 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/22 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 宋俊寅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的氮化物半导体发光元件包含以2×1019个/cm3以上的高浓度掺杂硅而得到的高浓度硅掺杂层、以及用于在高浓度硅掺杂层上将穿透位错横向弯曲的位错减少层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，包括：基板；设置于所述基板上的第1氮化物半导体层；设置于所述第1氮化物半导体层上的发光层；以及设置于所述发光层上的第2氮化物半导体层，所述第1氮化物半导体层包含以2×1019个/cm3以上的高浓度掺杂硅而得到的高浓度硅掺杂层、以及用于在高浓度硅掺杂层上将穿透位错横向弯曲的位错减少层，硅浓度从所述高浓度硅掺杂层起逐渐向所述发光层侧降低。
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