[发明专利]氮化物半导体发光元件有效
| 申请号： | 201380040831.5 | 申请日： | 2013-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN104541381B | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 驹田聪 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/22 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 宋俊寅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，包括：
基板；
设置于所述基板上的第1氮化物半导体层；
设置于所述第1氮化物半导体层上的发光层；以及
设置于所述发光层上的第2氮化物半导体层，
所述第1氮化物半导体层包含以2×1019个/cm3以上的高浓度掺杂硅而得到的高浓度硅掺杂层、以及用于在高浓度硅掺杂层上将穿透位错横向弯曲的位错减少层，
硅浓度从所述高浓度硅掺杂层起逐渐向所述发光层侧降低。
2.如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，
朝着所述发光层侧、与所述高浓度硅掺杂层的所述发光层侧的表面相距1.5μm处的硅浓度在1×1017个/cm3以上。
3.如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，
所述高浓度硅掺杂层的厚度为0.5μm以下。
4.如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，
在所述位错减少层和所述发光层之间配置有包含镁的层。
5.如权利要求1至4任一项所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，
包含高度在20nm以上、300nm以下，横向的宽度在40μm以上300μ以下的聚并台阶，所述聚并台阶是相对于生长面倾斜的面，形成于第2氮化物半导体层的表面。
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