[发明专利]片状二极管及其制造方法、电路组件及电子设备有效
| 申请号： | 201380040686.0 | 申请日： | 2013-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN104508806B | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 山本浩贵 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/28;H01L29/861;H01L29/866;H01L29/868 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 张莉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的片状二极管是齐纳电压Vz为4.0V～5.5V的片状二极管，该片状二极管包括半导体基板，具有3mΩ·cm～5mΩ·cm的电阻率；以及扩散层，形成于上述半导体基板的表面，且在该扩散层与上述半导体基板之间形成二极管接合区域；上述扩散层相对于上述半导体基板的上述表面具有0.01μm～0.2μm的深度。 | ||
| 搜索关键词： | 片状 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种片状二极管，是齐纳电压Vz为4.0V～5.5V的片状二极管，该片状二极管包括：半导体基板，具有3mΩ·cm～5mΩ·cm的电阻率；扩散层，形成于上述半导体基板的表面，且在该扩散层与上述半导体基板之间形成二极管接合区域，并且该扩散层相对于上述半导体基板的上述表面具有0.01μm～0.2μm的深度；电极，与上述扩散层电连接；以及绝缘膜，形成在上述半导体基板上，且具有使上述扩散层露出的接触孔，上述扩散层包括形成为多角形状的多个第1扩散层和多个第2扩散层，上述电极包括：经由上述接触孔与多个上述第1扩散层连接的第1引出电极；经由上述接触孔与多个上述第2扩散层连接的第2引出电极；以及与上述第1引出电极和上述第2引出电极一体形成的焊盘，上述第1引出电极在上述绝缘膜上的部分的宽度比在上述接触孔内与多个上述第1扩散层连接的部分的宽度宽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
